PCM придёт на смену Flash memory

PCM придёт на смену Flash memory

Инженеры из IBM объявили о создании PCM, новом виде памяти. Многоразрядная память со сменой фазой основывается на возможности изменения состояния материалов под воздействием электричества. Данные на PCM хранятся в виде битов на отдельных ячейках. Новая технология позволит работать с данными в 100 раз быстрее, чем это происходит в Flash накопителях.

Команда IBM при создании опытного образца PCM использовала технологию CMOS и техпроцесс 90-нм. Новый накопитель так же должен стать гораздо надёжнее и обеспечивать до 10 миллионов циклов записи по сравнению с 30000 поддерживаемая флэш.

IBM заявила, что PCM технология должна быть полностью готова для использования к 2016 году.